IRF6898MTRPBF

Name: Infineon Technologies IRF6898MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.6 (9 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
DirectFET™ Isometric MX
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
Date Sheet

Lagernummer 777

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：DirectFET™ Isometric MX
Количество контактов：7
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：35A Ta 213A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.1W Ta 78W Tc
Время отключения：24 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2012
Состояние изделия：Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：BOTTOM
Код JESD-30：R-XBCC-N3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：78W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：18 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.1m Ω @ 35A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5435pF @ 13V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：62nC @ 4.5V
Время подъема：46ns
Угол настройки (макс.)：±16V
Время падения (тип)：19 ns
Непрерывный ток стока (ID)：35A
Пороговое напряжение：1.6V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Максимальный импульсный ток вывода：280A
Характеристика ТРП：Schottky Diode (Body)
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 777

Итого $0.00000