Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVTFS4C13NTWG

Изображение служит лишь для справки






NVTFS4C13NTWG
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerWDFN
- Trans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Date Sheet
Lagernummer 5911
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя:18 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerWDFN
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:14A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:3W Ta 26W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2014
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Код JESD-30:S-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:26W
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:9.4m Ω @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:770pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:15.2nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):14A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):40A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0094Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:30V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 5911
Итого $0.00000