(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS192,135
Изображение служит лишь для справки
BSS192,135
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-243AA
- MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89
Date Sheet
Lagernummer 33
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-243AA
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：560mW Ta 12.5W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Форма вывода：FLAT
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：1W
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12 Ω @ 200mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：90pF @ 25V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：200mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：-240V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.2A
- Напряжение пробоя стока к истоку：240V
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：15 pF
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 33
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
