(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN2015UFDF-7
Изображение служит лишь для справки
DMN2015UFDF-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
Date Sheet
Lagernummer 88888
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15.2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.5V 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：1.8W Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Active
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9m Ω @ 8.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1439pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：42.3nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 88888
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
