(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMPB15XPZ
Изображение служит лишь для справки
PMPB15XPZ
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET P-CH 12V SOT1220
Date Sheet
Lagernummer 33
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8.2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1.7W Ta 12.5W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：6
- Нормативная Марка：IEC-60134
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：19m Ω @ 8.2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：900mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2875pF @ 6V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：100nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：12V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Непрерывный ток стока (ID)：8.2A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.019Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：33A
- Минимальная напряжённость разрушения：12V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 33
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
