Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN2022UFDF-13

Изображение служит лишь для справки






DMN2022UFDF-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
Date Sheet
Lagernummer 8300
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-UDFN Exposed Pad
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:7.9A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.5V 4.5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:660mW Ta
- Время отключения:632 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2014
- Код JESD-609:e4
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Код JESD-30:S-PDSO-N6
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:56 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:22m Ω @ 4A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:907pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:18nC @ 8V
- Время подъема:87ns
- Угол настройки (макс.):±8V
- Время падения (тип):239 ns
- Непрерывный ток стока (ID):7.9A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.05Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 8300
Итого $0.00000