NVTFS4C06NTAG

Name: ON Semiconductor NVTFS4C06NTAG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (7 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerWDFN
MOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
Date Sheet

Lagernummer 35355

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：18 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.1W Ta 37W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2014
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Код соответствия REACH：not_compliant
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：S-PDSO-F5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.2m Ω @ 30A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1683pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：26nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：21A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：71A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0061Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：367A
Минимальная напряжённость разрушения：30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：34 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 35355

Итого $0.00000