(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSP320SH6433XTMA1
Изображение служит лишь для справки
BSP320SH6433XTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
Date Sheet
Lagernummer 698
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.9A Tj
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1.8W Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：SIPMOS®
- Опубликовано：2017
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：120m Ω @ 2.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 20μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：340pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.3nC @ 7V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：2.9A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.12Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：11.6A
- Минимальная напряжённость разрушения：60V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：60 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 698
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
