(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIRA52DP-T1-RE3
Изображение служит лишь для справки
SIRA52DP-T1-RE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
Date Sheet
Lagernummer 16
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® SO-8
- Производитель идентификатор упаковки：S17-0173-Single
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：48W Tc
- Время отключения：38 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET® Gen IV
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Каналов количество：1
- Распад мощности：4.8W
- Время задержки включения：10 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.7mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7150pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：150nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：+20V, -16V
- Непрерывный ток стока (ID)：39.6A
- Напряжение пробоя стока к истоку：40V
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Сопротивление стока к истоку：1.4mOhm
- Высота：1.17mm
Со склада 16
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
