(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Изображение служит лишь для справки
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 769
- 1+： $1.33546
- 10+： $1.25987
- 100+： $1.18856
- 500+： $1.12128
- 1000+： $1.05781
Zwischensummenbetrag $1.33546
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：41W Tc
- Рабочая температура：175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVI
- Опубликовано：1997
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：22.2m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1850pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：37nC @ 10V
- Время подъема：16ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：+10V, -20V
- Время падения (тип)：90 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：20A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 769
- 1+： $1.33546
- 10+： $1.25987
- 100+： $1.18856
- 500+： $1.12128
- 1000+： $1.05781
Итого $1.33546
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
