IPL65R1K0C6SATMA1

Name: Infineon Technologies IPL65R1K0C6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (17 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 650V 4.2A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
Date Sheet

Lagernummer 342

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Вес：75.891673mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.2A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：34.7W Tc
Время отключения：41 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：CoolMOS™ C6
Опубликовано：2008
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PDSO-N5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：6.6 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1 Ω @ 1.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 150μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：328pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
Время подъема：5.2ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：13.6 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：650V
Сопротивление открытого канала-макс：1Ohm
Рейтинг энергии лавины (Eas)：50 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 342

Итого $0.00000