(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RSH110N03TB1
Изображение служит лишь для справки
RSH110N03TB1
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 30V 11A SOP8
Date Sheet
Lagernummer 2630
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A Ta
- Максимальная мощность рассеяния：2W Ta
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Распад мощности：2W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10.7m Ω @ 11A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 5V
- Непрерывный ток стока (ID)：11A
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2630
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
