(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RCD075N20TL
Изображение служит лишь для справки
RCD075N20TL
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 200V 7.5A CPT3
Date Sheet
Lagernummer 52388
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：7.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：850mW Ta 20W Tc
- Время отключения：24 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Каналов количество：1
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения：20 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：325m Ω @ 3.75A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.25V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：755pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
- Время подъема：22ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：12 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：7.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Минимальная напряжённость разрушения：200V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 52388
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
