(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPH12008NH,L1Q
Изображение служит лишь для справки
TPH12008NH,L1Q
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
Date Sheet
Lagernummer 4498
- 1+： $0.88113
- 10+： $0.83125
- 100+： $0.78420
- 500+： $0.73981
- 1000+： $0.69794
Zwischensummenbetrag $0.88113
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：24A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.6W Ta 48W Tc
- Время отключения：24 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：U-MOSVIII-H
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Код соответствия REACH：unknown
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：48W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12.3m Ω @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 300μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1900pF @ 40V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22nC @ 10V
- Время подъема：5ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：7.4 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：24A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：44A
- Напряжение пробоя стока к истоку：80V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 4498
- 1+： $0.88113
- 10+： $0.83125
- 100+： $0.78420
- 500+： $0.73981
- 1000+： $0.69794
Итого $0.88113
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
