(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIR112DP-T1-RE3
Изображение служит лишь для справки
SIR112DP-T1-RE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- MOSFET N-CHAN 40V
Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® SO-8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：37.6A Ta 133A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：5W Ta 62.5W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET® Gen IV
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.96mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4270pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：89nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：+20V, -16V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 10
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
