Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISS94DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки






SISS94DN-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® 1212-8S
- N-Channel 200V 5.4A (Ta), 19.5A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK? 1212-8S
Date Sheet
Lagernummer 2961
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® 1212-8S
- Поставщик упаковки устройства:PowerPAK® 1212-8S
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:5.4A Ta 19.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):7.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:5.1W Ta 65.8W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Серия:TrenchFET®
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:75mOhm @ 5.4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:350pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:21nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):200V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 2961
Итого $0.00000