(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS139H6906XTSA1
Изображение служит лишь для справки
BSS139H6906XTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- Depletion modedv/dt ratedAvailable with V GS(th) indicator on the reelHalogen free; Pb-free lead plating; RoHS compliantQualified according to AEC Q101
Date Sheet
Lagernummer 29000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：0V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：360mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：SIPMOS®
- Опубликовано：2006
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14 Ω @ 100mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 56μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：76pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.5nC @ 5V
- Время подъема：5.4ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：250V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：100mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.1A
- Сопротивление открытого канала-макс：30Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：250V
- Характеристика ТРП：Depletion Mode
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：3.3 pF
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 29000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
