(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI8824EDB-T2-E1
Изображение служит лишь для справки
SI8824EDB-T2-E1
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 4-XFBGA
- MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Date Sheet
Lagernummer 13294
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：44 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-XFBGA
- Количество контактов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.2V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：500mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2017
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：60mOhm
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：75m Ω @ 1A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：800mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：400pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±5V
- Непрерывный ток стока (ID)：2.9A
- Пороговое напряжение：800mV
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- REACH SVHC：Unknown
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 13294
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
