(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS123-13P
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 12
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.8 V
- Распад мощности：350 mW
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：1.4 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：10 Ohms
- Id - Непрерывный ток разряда：170 mA
- Технология：Si
- Каналов количество：1 Channel
Со склада 12
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
