Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDS6894AZ

Изображение служит лишь для справки






FDS6894AZ
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 797
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:8
- Вес:230.4mg
- Время отключения:33 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:20V
- Максимальная потеря мощности:900mW
- Моментальный ток:8A
- Конфигурация элемента:Dual
- Распад мощности:2W
- Время задержки включения:9 ns
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:17m Ω @ 8A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1455pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:20nC @ 4.5V
- Время подъема:14ns
- Время падения (тип):13 ns
- Непрерывный ток стока (ID):8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Напряжение пробоя стока к истоку:20V
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 797
Итого $0.00000