(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы UPA2660T1R-E2-AX
Изображение служит лишь для справки
UPA2660T1R-E2-AX
-
Renesas Electronics America
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-PowerWDFN
- MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON
Date Sheet
Lagernummer 45000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-PowerWDFN
- Количество контактов：6
- Время отключения：27 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Максимальная потеря мощности：2.3W
- Число контактов：6
- Время задержки включения：12 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：62m Ω @ 2A, 4.5V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：330pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.5nC @ 10V
- Время подъема：6.4ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：6.6 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Максимальный сливовой ток (ID)：4A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 45000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
