(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6N61NU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6N61NU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-WDFN Exposed Pad
- MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
Date Sheet
Lagernummer 35500
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-WDFN Exposed Pad
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Максимальная потеря мощности：2W
- Форма вывода：NO LEAD
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Мощность - Макс：2W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：33m Ω @ 4A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：410pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.6nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Непрерывный ток стока (ID)：4A
- Максимальный сливовой ток (ID)：4A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.033Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 35500
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
