Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы PMDPB95XNE,115
Изображение служит лишь для справки






PMDPB95XNE,115
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- SMALL SIGNAL MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-UDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства:DFN2020-6
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:2.4A
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:475mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:120mOhm @ 2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:143pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 3000
Итого $0.00000