(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы APTMC120AM12CT3AG
Изображение служит лишь для справки
APTMC120AM12CT3AG
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SP3
- MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
- Срок поставки от производителя：36 Weeks
- Монтаж：Chassis Mount, Through Hole
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：SP3
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：220A Tc
- Время отключения：150 ns
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：1997
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：925W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Время задержки включения：35 ns
- Тип ТРВ：2 N Channel (Phase Leg)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12m Ω @ 150A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 30mA (Typ)
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8400pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：483nC @ 20V
- Время подъема：40ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V 1.2kV
- Время падения (тип)：70 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：220A
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
