Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 23

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-251AA-3
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:500 V
  • Время типичного задержки включения:14 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
  • Распад мощности:130 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Усв:- 30 V, + 30 V
  • Вес единицы:0.011993 oz
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:80
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Режим канала:Enhancement
  • Производитель:Panjit
  • Бренд:Panjit
  • Зарядная характеристика ворот:16.2 nC
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:900 mOhms
  • РХОС:Details
  • Время задержки отключения типичного:36 ns
  • Id - Непрерывный ток разряда:8 A
  • Серия:NFET-500SDMN
  • Пакетирование:Tube
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Время подъема:30 ns
  • Тип продукта:MOSFET
  • Тип транзистора:1 N-Channel
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 23

Итого $0.00000