(0)
Изображение служит лишь для справки
IM65X51MJF
-
General Electric
-
Неклассифицированные
- -
- DIP, DIP22,.4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：22
- Описание пакета：DIP, DIP22,.4
- Форма упаковки：IN-LINE
- Количество кодовых слов：256
- Материал корпуса пакета：CERAMIC
- Код эквивалентности пакета：DIP22,.4
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Время доступа-максимум：300 ns
- Температура работы-Макс：125 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IM65X51MJF
- Количество слов：256 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：5 V
- Код пакета：DIP
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：General Electric Solid State
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：GENERAL ELECTRIC SOLID STATE
- Ранг риска：5.92
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория：SRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Шаг выводов：2.54 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-XDIP-T22
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Блоки питания：5 V
- Градация температуры：MILITARY
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：0.002 mA
- Организация：256X4
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：4
- Ток ожидания-макс：0.00001 A
- Плотность памяти：1024 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：STANDARD SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима：2 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
