(0)
Изображение служит лишь для справки
L2N7002LT1G
-
Leshan
-
Неклассифицированные
- -
- Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: L2N7002LT1G)
Date Sheet
Lagernummer 282000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：L2N7002LT1G
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：LRC Leshan Radio Co Ltd
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
- Производитель IHS：LESHAN RADIO CO LTD
- Ранг риска：4.81
- Максимальный ток утечки (ID)：0.115 A
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-236AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.075 A
- Сопротивление открытого канала-макс：7.5 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.3 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：5 pF
Со склада 282000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
