Изображение служит лишь для справки






NSQ1001
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:14
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Форма упаковки:IN-LINE
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:NSQ1001
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Microsemi Corporation
- Количество элементов:4
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.92
- Максимальный ток утечки (ID):0.85 A
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-CDIP-T14
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SEPARATE, 4 ELEMENTS
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):0.85 A
- Сопротивление открытого канала-макс:1 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):1.3 W
Со склада 0
Итого $0.00000