(0)
Изображение служит лишь для справки
NP60N055KUG-E1-AZ
-
Renesas
-
Неклассифицированные
- -
- Single MOSFET Single MOSFET Nch
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：NP60N055KUG-E1-AZ
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.32
- Код упаковки компонента：D2PAK
- Максимальный ток утечки (ID)：60 A
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN BISMUTH
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：60 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0094 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：240 A
- Минимальная напряжённость разрушения：55 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：88 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
