(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NE97833-T1B-A
Изображение служит лишь для справки
NE97833-T1B-A
-
NEC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- RF Bipolar Transistors PNP High Frequency
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：200 °C
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：5500 MHz
- Артикул Производителя：NE97833-T1B-A
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.82
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.2 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.05 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：12 V
- Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：1 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
