(0)
Изображение служит лишь для справки
AUIRGR4045DTR
-
Infineon
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- IGBT Transistors 600V LO VCEON IGBT HALF BRIDGE 2 CH
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон)：38 ns
- Время отключения (toff)：127 ns
- Максимальная температура рефлоу：30
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：AUIRGR4045DTR
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Время подъема макс：15 ns
- Ранг риска：5.64
- Код JESD-609：e3
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252AA
- Максимальная потеря мощности (абс.)：77 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：12 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6.5 V
- Время падения максимальное (tf)：22 ns
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
