(0)
Изображение служит лишь для справки
HF75-28F
-
Advanced
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- -
- Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：4 V
- Распад мощности：140 W
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：10 at 1 A, 5 V
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：10
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：30 MHz
- Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：100 at 1 A, 5 V
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：35 V
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
- Прямоходящий ток коллектора：10 A
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
