(0)
Изображение служит лишь для справки
MTB30P06VG
-
ON Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- MOSFET PWR P-CH -60V 30A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, CASE 418B-04, D2PAK-3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：CASE 418B-04
- Максимальная температура рефлоу：40
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：MTB30P06VG
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：ON Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Ранг риска：5.17
- Максимальный ток утечки (ID)：30 A
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：30 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.08 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：105 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：450 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
