Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS138BKW,115

Изображение служит лишь для справки






BSS138BKW,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-70, SOT-323
- NEXPERIA - BSS138BKW,115 - MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.32A, SOT323
Date Sheet
Lagernummer 120000
- 1+: $0.04883
- 10+: $0.04606
- 100+: $0.04346
- 500+: $0.04100
- 1000+: $0.03868
Zwischensummenbetrag $0.04883
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:320mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:260mW Ta 830mW Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.6 Ω @ 320mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.6V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:56pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.32A
- Минимальная напряжённость разрушения:60V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 120000
- 1+: $0.04883
- 10+: $0.04606
- 100+: $0.04346
- 500+: $0.04100
- 1000+: $0.03868
Итого $0.04883