(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NX3008PBK,215
Изображение служит лишь для справки
NX3008PBK,215
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET P-CH 30V TO-236AB
Date Sheet
Lagernummer 11982
- 1+： $0.04988
- 10+： $0.04706
- 100+： $0.04439
- 500+： $0.04188
- 1000+： $0.03951
Zwischensummenbetrag $0.04988
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：230mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：350mW Ta 1.14W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Опубликовано：2011
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.1 Ω @ 200mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：46pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.72nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 11982
- 1+： $0.04988
- 10+： $0.04706
- 100+： $0.04439
- 500+： $0.04188
- 1000+： $0.03951
Итого $0.04988
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
