(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM3K35CTC,L3F
Изображение служит лишь для справки
SSM3K35CTC,L3F
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-101, SOT-883
- MOSFET N-CH 20V 0.18A
Date Sheet
Lagernummer 154409
- 1+： $0.19528
- 10+： $0.18423
- 100+： $0.17380
- 500+： $0.16396
- 1000+： $0.15468
Zwischensummenbetrag $0.19528
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-101, SOT-883
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：250mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.2V 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：500mW Ta
- Время отключения：6.5 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSIII
- Опубликовано：2015
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Каналов количество：1
- Распад мощности：500mW
- Время задержки включения：2 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.1 Ω @ 150mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：36pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.34nC @ 4.5V
- Угол настройки (макс.)：±10V
- Непрерывный ток стока (ID)：250mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Высота：400μm
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 154409
- 1+： $0.19528
- 10+： $0.18423
- 100+： $0.17380
- 500+： $0.16396
- 1000+： $0.15468
Итого $0.19528
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
