BSS806NEH6327XTSA1

Name: Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (14 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
Date Sheet

Lagernummer 5387

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：1.437803g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.3A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 2.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：500mW Ta
Время отключения：12 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：500mW
Время задержки включения：7.5 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：57m Ω @ 2.3A, 2.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：0.75V @ 11μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：529pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.7nC @ 2.5V
Время подъема：9.9ns
Угол настройки (макс.)：±8V
Время падения (тип)：3.7 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.057Ohm
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：29 pF
Высота：1mm
Длина：2.9mm
Ширина：1.3mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 5387

Итого $0.00000