(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN3042L-7
Изображение служит лишь для справки
DMN3042L-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Single N-Channel 30 V 1.4 W 20 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 45800
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：23 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.8A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：720mW Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2015
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：26.5m Ω @ 5.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：860pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Непрерывный ток стока (ID)：5.8A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0265Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：80 pF
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 45800
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
