NTR2101PT1G

Name: ON Semiconductor NTR2101PT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (12 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Trans MOSFET P-CH 8V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet

Lagernummer 37825

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：13 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：960mW Ta
Время отключения：38 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：39MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный：-8V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-3.7A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：960mW
Время задержки включения：7.4 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：52m Ω @ 3.5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1173pF @ 4V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 4.5V
Время подъема：15.75ns
Угол настройки (макс.)：±8V
Время падения (тип)：15.75 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.7A
Пороговое напряжение：-1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Напряжение пробоя стока к истоку：-8V
Высота：1.01mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 37825

Итого $0.00000