SSM3J332R,LF

Name: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J332R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.7 (12 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-23-3 Flat Leads
MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
Date Sheet

Lagernummer 14436

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-3 Flat Leads
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1W Ta
Время отключения：75 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：U-MOSVI
Опубликовано：2010
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Положение терминала：DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество：1
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1W
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：42m Ω @ 5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：560pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8.2nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±12V
Непрерывный ток стока (ID)：-6A
Пороговое напряжение：-500mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Максимальный сливовой ток (ID)：6A
Сопротивление открытого канала-макс：0.042Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：-22V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：880μm
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 14436

Итого $0.00000