(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPH2R506PL,L1Q
Изображение служит лишь для справки
TPH2R506PL,L1Q
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- X35 Pb-F Power Mosfet Transistor Sop8-Adv Pd=78W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
Date Sheet
Lagernummer 47038
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：132W Tc
- Рабочая температура：175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSIX-H
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.4m Ω @ 30A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 500μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5435pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：60nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 47038
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
