Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS138PW,115

Изображение служит лишь для справки






BSS138PW,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-70, SOT-323
- N-Channel 60 V 1.6 Ohm 260 mW 0.72 nC Surface Mount Trench MOSFET - SOT-323
Date Sheet
Lagernummer 120000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:320mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:260mW Ta 830mW Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Опубликовано:2010
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.6 Ω @ 300mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:50pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.8nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Минимальная напряжённость разрушения:60V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 120000
Итого $0.00000