(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDV303N
Изображение служит лишь для справки
FDV303N
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 13321
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：680mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.7V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：350mW Ta
- Время отключения：17 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：1997
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Завершение：SMD/SMT
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：450mOhm
- Конечная обработка контакта：TIN
- Ток постоянного напряжения - номинальный：25V
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：680mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Каналов количество：1
- Напряжение：20V
- Конфигурация элемента：Single
- Текущий：12A
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：350mW
- Время задержки включения：3 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：450m Ω @ 500mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.3nC @ 4.5V
- Время подъема：8.5ns
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Время падения (тип)：8.5 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：680mA
- Пороговое напряжение：800mV
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Напряжение пробоя стока к истоку：25V
- Двухпитание напряжения：25V
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Номинальное Vgs：800 mV
- Высота：1.11mm
- Длина：2.92mm
- Ширина：3.05mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 13321
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
