Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STD26P3LLH6

Изображение служит лишь для справки






STD26P3LLH6
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 40W; DPAK
Date Sheet
Lagernummer 34
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:40W Tc
- Время отключения:24 ns
- Рабочая температура:175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:DeepGATE™, STripFET™ VI
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:5.5mOhm
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:STD26P
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:15 ns
- Тип ТРВ:P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:30m Ω @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1450pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:12nC @ 4.5V
- Время подъема:15ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):21 ns
- Непрерывный ток стока (ID):12A
- Пороговое напряжение:-2.5V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:-30V
- Максимальный импульсный ток вывода:48A
- Высота:2.4mm
- Длина:6.6mm
- Ширина:6.2mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 34
Итого $0.00000