(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQM120P06-07L_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQM120P06-07L_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- VISHAY - SQM120P06-07L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Date Sheet
Lagernummer 4892
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：TO-263 (D2Pak)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：375W Tc
- Время отключения：97 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2015
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：175°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Каналов количество：1
- Распад мощности：375W
- Время задержки включения：15 ns
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.7mOhm @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：14280pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：270nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：-120A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-60V
- Максимальная температура перехода (Тj)：175°C
- Сопротивление стока к истоку：5.6mOhm
- Высота：5.08mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 4892
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
