(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF1407STRLPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF1407STRLPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Single N-Channel 75 V 0.0078 Ohm 250 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 576
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3.8W Ta 200W Tc
- Время отключения：150 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Завершение：SMD/SMT
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：7.8mOhm
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：3.8W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：11 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.8m Ω @ 78A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5600pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：250nC @ 10V
- Время подъема：150ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：140 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：100A
- Пороговое напряжение：4V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：75A
- Напряжение пробоя стока к истоку：75V
- Максимальный импульсный ток вывода：520A
- Двухпитание напряжения：75V
- Номинальное Vgs：4 V
- Высота：4.826mm
- Длина：10.668mm
- Ширина：9.65mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 576
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
