(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные EPC2012C
Изображение служит лишь для справки
EPC2012C
-
EPC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Die
- GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Date Sheet
Lagernummer 17413
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：Die
- Поставщик упаковки устройства：Die Outline (4-Solder Bar)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：eGaN®
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-40°C
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100mOhm @ 3A, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：140pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.3nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
- Угол настройки (макс.)：+6V, -4V
- Непрерывный ток стока (ID)：5A
- Входной ёмкости：140pF
- Rds на макс.：100 mΩ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 17413
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
