(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPD068N10N3GATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPD068N10N3GATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Date Sheet
Lagernummer 19262
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вид крепления：Surface Mount
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальная мощность рассеяния：150W Tc
- Количество элементов：1
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：90A Tc
- Серия：OptiMOS™
- Опубликовано：2008
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.8m Ω @ 90A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 90μA
- Без галогенов：Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4910pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：68nC @ 10V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：90A
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：100V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0068Ohm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 19262
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
