SI1022R-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI1022R-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 5 (15 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SC-75A
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
Date Sheet

Lagernummer 476

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-75A
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：330mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：250mW Ta
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：3Ohm
Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Число контактов：3
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：250mW
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.25 Ω @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：30pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.6nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：330mA
Пороговое напряжение：2.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Минимальная напряжённость разрушения：60V
Высота：700μm
Длина：1.58mm
Ширина：760μm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 476

Итого $0.00000