Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RK7002BMT116

Изображение служит лишь для справки






RK7002BMT116
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3
Date Sheet
Lagernummer 279000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:250mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):2.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:200mW Ta
- Время отключения:18 ns
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2014
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Каналов количество:1
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения:3.5 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.4 Ω @ 250mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:15pF @ 25V
- Время подъема:5ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):28 ns
- Непрерывный ток стока (ID):250mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.25A
- Сопротивление открытого канала-макс:3.2Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:60V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 279000
Итого $0.00000